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参数目录43994
> NDD03N50Z-1G MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
型号:
NDD03N50Z-1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NDD03N50Z-1G PDF
产品目录绘图
MOSFET IPAK-3
标准包装
75
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
3.3 欧姆 @ 1.15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
274pF @ 25V
功率 - 最大
58W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商设备封装
I-Pak
包装
管件
其它名称
NDD03N50Z-1G-ND
NDD03N50Z-1GOS
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